Модуль транзистора FZ1600R12KL4C

Производитель: Infineon
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
RoHS: N
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Dual Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 2450 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA
Pd - рассеивание мощности: 10 kW
Упаковка / блок: IHM
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Упаковка: Tray
Высота: 38 mm
Длина: 140 mm
Технология: Si
Ширина: 130 mm
Торговая марка: Infineon Technologies
Вид монтажа: Chassis Mount
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Тип продукта: IGBT Modules